CS4N65FA9HD دیتاشیت

CS4N65FA9HD

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت CS4N65FA9HD
حجم فایل 78.218 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت CS4N65FA9HD

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: N Channel
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
  • Datasheet: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics CS4N65FA9HD
  • Power Dissipation (Pd): 30W
  • Drain Source Voltage (Vdss): 650V
  • Continuous Drain Current (Id): 4A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 2.5Ω@10V,2A
  • Package: TO-220F
  • Manufacturer: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics

محصولات مشابه